微控制器（MCU），下面統(tǒng)稱單片機(jī)。單片機(jī)的大多數(shù)時(shí)鐘源可以分為兩類(lèi)：基于機(jī)械諧振器件的晶體管和陶瓷諧振器，以及基于電相移電路的器件，如RC（電阻器，電容器）振蕩器。比如英銳恩單片機(jī)EN8F677E，采用的是硅振蕩器。當(dāng)應(yīng)用于煙感器時(shí)，穩(wěn)定性更為準(zhǔn)確。

硅振蕩器通常是RC振蕩器的集成版本，具有電流源、匹配電阻器和電容器以及溫度補(bǔ)償電路等附加優(yōu)勢(shì)，可提高穩(wěn)定性。

時(shí)鐘源的兩個(gè)典型例子如下圖所示：

（a）皮爾斯振蕩器和（b）RC反饋振蕩器。

一、機(jī)械諧振器與RC振蕩器的主要區(qū)別

基于晶體和陶瓷諧振器的振蕩器（機(jī)械）通?？商峁┓浅８叩某跏季群瓦m度的低溫度系數(shù)。相比之下，RC振蕩器的優(yōu)點(diǎn)是快速啟動(dòng)和低成本，但通常在溫度和電源電壓范圍內(nèi)具有較差的精度，并且顯示出標(biāo)稱輸出頻率的5％至50％的變化。

值得注意的是，雖然上圖所示的電路可以產(chǎn)生干凈可靠的時(shí)鐘信號(hào)，但它們的性能將受到環(huán)境條件，電路元件選擇和振蕩器電路布局的嚴(yán)重影響。陶瓷諧振器及其相關(guān)的負(fù)載電容值必須針對(duì)特定邏輯系列的操作進(jìn)行優(yōu)化。晶體，Q值較高，對(duì)放大器選擇不敏感，但在過(guò)驅(qū)動(dòng)時(shí)易受頻率偏移（甚至損壞）的影響。電磁干擾（EMI），機(jī)械振動(dòng)和沖擊，濕度和溫度等環(huán)境因素會(huì)影響振蕩器的運(yùn)行。這些環(huán)境因素可能導(dǎo)致輸出頻率變化，抖動(dòng)增加，并且在嚴(yán)重情況下，可能導(dǎo)致振蕩器停止工作。

二、振蕩器模塊

通過(guò)使用振蕩器模塊可以避免上述許多考慮因素。這些模塊包含所有振蕩器電路元件，并提供時(shí)鐘信號(hào)作為低阻抗方波輸出。在各種條件下都能保證運(yùn)行。晶體振蕩器模塊和完全集成的硅振蕩器是最常見(jiàn)的。晶體振蕩器模塊提供類(lèi)似于使用晶體的分立元件電路的精度硅振蕩器比分立元件RC振蕩器電路更精確，并且許多提供與基于陶瓷諧振器的振蕩器相當(dāng)?shù)木取?/p>

三、能量消耗

功耗是振蕩器選擇的另一個(gè)重要考慮因素。分立元件晶體振蕩器電路的功耗主要由反饋放大器電源電流和所用的在線電容值決定。用CMOS制造的放大器的功耗在很大程度上與工作頻率成比例，并且可以表示為功耗電容值。例如，用作反相放大器的HC04反相器柵極的功率耗散電容值通常為90pF。對(duì)于5V電源下4MHz的工作電壓，這相當(dāng)于1.8mA的電源電流。分立元件晶體振蕩器電路通常包括20pF的附加負(fù)載電容值，并且總供電電流變?yōu)?.2mA。

陶瓷諧振器電路通常指定比晶體電路更大的負(fù)載電容值，并且比使用相同放大器的晶體電路消耗更多的電流。

相比之下，由于包括溫度補(bǔ)償和控制功能，晶體振蕩器模塊通常消耗10mA至60mA的電源電流。

硅振蕩器的電源電流取決于類(lèi)型和功能，可以從低頻（固定）器件的幾微安到可編程頻率器件的幾十毫安。低功耗硅振蕩器（如MAX7375）在4MHz工作時(shí)消耗的電流小于2mA。